Intel анонсировала продукты на базе 3D XPoint

🕛 22.08.2015, 13:42

3D XPoint — совместная разработка Intel и Micron — представляет собой энергонезавиcимую память, по принципу действия совершенно отличную от преобладающей сегодня NAND Flash-памяти. В то время как NAND Flash для хранения информации использует электроны, захваченные в затворе транзистора, ячейка 3D XPoint меняет сопротивление для различения между нулем и единицей. Благодаря тому, что ячейка не содержит транзистора, плотность хранения данных в памяти нового типа в 10 раз превышает соответствующий показатель NAND Flash. Доступ к индивидуальной ячейке обеспечивает сочетание определенных напряжений на пересекающихся линиях проводников (отсюда название XPoint, которое произносится как cross-point). Ячейки в кристалле памяти расположены в несколько слоев (в текущем варианте только два), потому в имени технологии присутствует аббревиатура 3D.
В теории память 3D XPoint может достигнуть в 1000 раз большей пропускной способности по сравнению с NAND Flash. Это все ещё меньше, чем то, на что способна память DDR4 SDRAM, но вполне приемлемо для того, чтобы использовать 3D XPoint в модулях оперативной памяти. Модули DIMM на основе 3D XPoint обеспечат больший объём и низкие цены относительно DDR4 DIMM.
В 2016 году Intel представит широкую линейку устройств на базе памяти нового типа под торговой маркой Optane. Это будут SSD для шины PCIe различного форм-фактора — карты расширения, 2,5-дюймовые накопители с разъемом U.2, компактные планки для ноутбуков (M.2). Чипы памяти будет производить компания Micron по норме 20 нм.
На выступлении генерального директора Intel Брайана Кржанича (Brian Krzanich) нам продемонстрировали рабочий прототип Optane в виде карты расширения PCIe. По количеству операций в секунду устройство в 5–7 раз превосходит накопитель корпоративного класса Intel SSD DC P3700. Столь высокая производительность сохраняется даже при длине очереди команд в единицу. Кроме того, 3D XPoint обладает более симметричной производительность при чтении и записи благодаря тому, что операции обоих типов выполняются в блоках, соответствующих ширине шины памяти — в отличие от памяти NAND Flash, которая подразумевает запись крупными «страницами» (вплоть до 16 Кбайт).
Помимо устойств ПЗУ, в линейку Optane войдут модули DIMM для серверов на платформе Xeon. Последние будут полностью совместимы с интерфейсом DDR4 SDRAM вплоть до того, что планки обоих типов можно будет совместно использовать в одной системе.