Stfw.RuРазгон и тонкая настройка памяти DIMM SDRAM
Вероятно, немногие позволяли себе эксперименты с подсистемой памяти своего компьютера.
🕛 22.01.2010, 14:43
Непонятные обозначения в BIOS и большое количество всевозможных настроек напрочь отбивают охоту к таким экспериментам. Многие сборщики компьютеров также не утруждают себя этой задачей, оставляя настройки BIOS в предустановленном изготовителем значениях. Вы можете, настроив оптимальным образом подсистему памяти получить существенный выигрыш в производительности системной шины ПК.Возьмем весьма распространенный сейчас пример. У вас процессор Celeron (частота FSB 66 МГц) и память PC100. Изготовители материнских плат, как правило, предустанавливают BIOS в расчете на худший вариант с памятью PC66. Поэтому, настроив подсистему для работы с PС100, вы можете увеличить производительность подсистемы памяти на 5-15 %.
Основная система ввода-вывода (BIOS - Basic Input Output System) является своего рода прослойкой между аппаратной (комплектующие) и программной (операционная система) частями ПК. В ней содержится вся информация относительно установленных компонентов и общих настроек всей системы. Большинство установок имеют свою специфику и определяют некоторые особенности и тонкости функционирования подсистемы памяти. Четкой рекомендации относительно устанавливаемых параметров дать практически невозможно. Тем не менее, понимая основные принципы организации памяти и осознанно выбирая значения параметров ее настройки, можно добиться оптимальных показателей производительности и надежности всего ПК.
Систему можно настроить на максимальную эффективность, установив соответствующие параметры на максимально возможные значения с точки зрения производительности, но при этом не будет никакой гарантии, что после этого компьютер будет работать надежно и без сбоев. Можно настроить на максимальную отказоустойчивость, загрубив при этом производительность.
На вопрос, как поведет себя модуль памяти, да и система в целом, с теми или иными конкретными установками, однозначно может ответить только операционная система ПК и специализированные тестовые пакеты (к примеру, SISoft Sandra 2000, BCM Diagnostics, WinCheckit), которые в состоянии достаточно сильно нагрузить подсистему памяти, тщательно ее проверить и указать на возможные сбои или ошибки. Однозначно высокоскоростную и чрезвычайно надежную систему можно получить, используя только достаточно качественную память (SDRAM, например, должна, как минимум, удовлетворять всем техническим требованиям спецификации РС100).
Иными словами, только знание и понимание всех описываемых далее параметров, а также терпение и время позволят добиться желаемого результата в достижении заветной цели любого пользователя ПК: получить максимально быструю и отказоустойчивую систему - идеал соотношения качество-производительность.
Все, что касается выбора правильных значений параметров конфигурирования подсистемы памяти - всевозможные задержки, специфические режимы работы, общие схемы функционирования - все это можно найти в разделе Advanced Chipset Setup (или Chipset Features Setup) в BIOS-Setup.
Пункт Auto Configuration является одним из основных, однако встречается не в каждой системе (точнее сказать - на всех материнских платах для 486 процессоров и на большей части под Pentium). Его установки 60ns и 70ns дают понять системе, что надо использовать настройки, предусмотренные производителем, которые обеспечивают в любом случае стабильную работу, исходя из времени доступа к памяти.
Чтобы иметь возможность гибко сконфигурировать систему и самостоятельно установить индивидуальные параметры, этот параметр необходимо установить в положение Disable, открыв доступ к другим настройкам подсистемы памяти.
Рекомендация: прежде чем преступать к конфигурированию, перепишите все установленные настройки в этих разделах BIOS-Setup, и проведите контрольные замеры производительности памяти. Для этой цели рекомендуем использовать пакет SISoft Sandra 2000, в котором есть низкоуровневые тесты для всех подсистем компьютера.
DRAM Read Timing
Параметр, характеризующий скорость чтения данных из массива памяти. Для чтения или записи одной ячейки памяти необходимо пять тактов. Сначала на шину выставляется адрес строки. Затем подается сигнал RAS#, который является своего рода контрольным сигналом, передающим полученный адрес для записи в специально отведенное место - регистр микросхемы памяти. После этого передается адрес столбца, следующим тактом за которым идет сигнал подтверждения этого адреса - CAS#.И, наконец следует операция чтения-записи в/из ячейки, контролируемая сигналом разрешения - WE#. Однако, если считываются соседние ячейки, то тогда нет необходимости передавать каждый раз адрес строки или столбца - процессор ЋнадеетсяЛ, что считываемые данные расположены по соседству. Поэтому на считывание каждой последующей ячейки понадобится уже 3 такта системной шины.
Цикл доступа процессора к памяти состоит из двух фаз: запроса (Request) и ответа (Response). Фаза запроса состоит из трех действий: подача адреса, подача запроса (чтения-записи) и подтверждение (не обязательно). В фазу ответа входит выдача запрашиваемых данных и подтверждение приема. Отсюда и берут свое начало существование определенных схем функционирования (тайминги) отдельно взятой разновидности памяти: х-ууу-уууу-..., где х - количество тактов шины, необходимое для чтения первого бита, а у - для всех последующих.
Например, для модулей памяти типа FPM DRAM применяется самая простая схема 5-333-3333-…, для модулей памяти EDO DRAM - 5-222-2222-... а при работе с модулями SDRAM. имеется возможность перейти на еще более короткую схему работы: 5-111-1111-.…
При пакетной передаче, подразумевающей подачу одного начального адреса и дальнейшую выборку в установленном порядке, улучшается скорость доступа к участкам памяти с заранее определенными последовательными адресами.
Обычно процессор вырабатывает адресные пакеты на четыре передачи данных по шине, поскольку предполагается, что система автоматически возвратит данные из указанной ячейки и трех следующих за ней. Преимущество такой схемы достаточно очевидно - на передачу четырех порций данных требуется всего-навсего одна фаза запроса.
Варьируя эти параметры и стараясь использовать меньшее количество циклов для конкретного типа памяти, можно добиться некоторого повышения производительности ПК.
DRAM Write Timing
Параметр, аналогичный предыдущему, только с той лишь разницей, что для памяти типа FPM DRAM и EDO DRAM схемы таймингов одинаковы, поскольку выигрыш EDO DRAM осуществляется только на операциях чтения. Учитывая это при установке значений данного параметра можно воспользоваться рекомендациями, аналогичными DRAM Read Timing.
Fast RAS-to-CAS Delay
Этот пункт характеризует задержку между сигналами RAS# и CAS#, за которую данные из DRAM передаются на выходные усилители (сигнал, выходящий из микросхемы достаточно слабый) в циклах тактового сигнала, и, как правило, равен 2 нс.Задержка вводится умышленно и необходима для того, чтобы чип памяти имел достаточно времени для однозначного определения адреса строки (сигнал RAS#) и столбца (сигнал CAS#) ячейки. Иными словами, при регенерации (содержимое ячейки динамической памяти необходимо периодически обновлять, так как заряд в конденсаторе со временем теряется) ячеек строки и столбцы адресуются отдельно, поэтому этот параметр характеризует интервал между выставлением контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.
Понятно, что чем меньше данное значение, тем лучше, однако не стоит забывать, что за ним стоит возможность самих микросхем памяти реализовать установленную задержку, поэтому здесь выбор неоднозначен.
DRAM RAS Precharge Time
Данный параметр определяет время, через которое повторная выдача сигнала RAS# станет возможной, т. е. Через какое время контроллер памяти будет способен выдать сигнал инициализации адреса строки. Установка; может принимать значения 3 или 4, и в этом отношении аналогична предыдущей - чем меньше, тем лучше.Иногда возможен вариант, когда можно выставить конкретную схему циклов регенерации или прямо указать время обновления содержимого ячейки памяти, выражаемое в микросекундах (мкс). Для конкретного ознакомления с этим параметром следует разобраться с возможными вариантами.
Регенерация одним RAS (ROR - RAS Only Refresh):
В данном случае адрес регенерируемой строки передается на шину адреса и выдается сигнал RAS# (точно так же, как при чтении или записи). При этом выбирается строка ячеек, и данные из них поступают на внутренние цепи микросхемы, после чего записываются обратно. Так как сигнала CAS# не следует, цикл чтения-записи не начинается. В следующий раз передается адрес следующей строки и так далее, пока не восстановятся все ячейки, после чего цикл регенерации повторяется. К недостаткам этого метода можно отнести то, что он занимает шину адреса, и в момент регенерации блокируется доступ к другим подсистемам компьютера, Это сильно снижает общую производительность, поскольку подобного рода регенерацию в модулях памяти необходимо осуществлять довольно часто. Метод ROR использовался еще в первых микросхемах DRAM и на данный момент практически не применяется.
CAS перед RAS (CBR - CAS Before RAS):
При нормальном цикле чтение-запись сигнал RAS# всегда приходит первым, а за ним следует CAS#. Если же CAS# приходит раньше RAS#, то начинается специальный цикл регенерации (CBR), при котором адрес строки не передается, а микросхема использует свой собственный внутренний счетчик, содержимое которого увеличивается на 1 при каждом цикле CBR. Этот режим позволяет регенерировать память, не занимая шину адреса, что, безусловно, более экономично. Метод CBR активно используется в модулях памяти типа EDO DRAM, поэтому, если в системе установлен даниый тип памяти, то следует указать время стандартной регенерации - 15,625 мкс. То же самое рекомендуется и при установке в систему модулей памяти FPM DRAM.
Автоматическая регенерация (SEREf - SEIf REfresh), расширенная регенерация (EREf - Extended Refresh) и сокращенная регенерация (REREf - REduce REfresh):
Эти методы обычно используются в режиме энергосбережения, когда система переходит в состояние сна и генератор синхросигналов перестает работать. Поэтому два этих специальных режима регенерации позволяют экономить потребляемую энергию. Однако EREf не является отдельным методом, характеризующим саму способность модулей памяти, а как и сокращенная (REREf), определяет только режим периодичности регенерации массива относительно нормальной (Normal, 15,625 мкс) и в данном частном случае состоит в ЋподмножествеЛ цикла саморегенерации.
При EREf энергия экономится потому, что теперь регенерация содержимого ячеек памяти производится значительно реже: через 125,2 мкс, а не через 15,625 мкс, как это происходит при стандартной регенерации. Сокращенная регенерация рекомендуется к использованию в микросхемах памяти большой емкости (64-мегабитные модули и более) и в модулях памяти с большим количеством микросхем (8, 16, 32).
Саморегенерация используется в периоды пониженного энергопотребления (общее состояние системы - Suspend), причем модуль памяти регенерируется самостоятельно путем инкрементирования своего внутреннего счетчика - это значит, что все функции управления можно выключить. В таком состоянии обновление содержимого ячеек по вышеописанным методам невозможно, потому что некому посылать сигналы на регенерацию, и микросхема памяти делает это сама - в ней запускается свои собственный генератор, который тактирует внутренние цепи.
Саморегенерация рекомендована для модулей SDRAM и поддерживает значения: 3,906мкс (0,25х-сокращенная), 7,812 мкс (0,5х-сокращенная), 15,625 мкс (нормальная), 31.25 мкс (2х-расширенпая), 62.5 мкс (4х-расширенная) и 125,2 мкс (8х-расширенная).
Понятно, что сама способность регенерации конкретного модуля памяти (контролируемая со стороны ЋзакрытыхЛ установок в BIOS или саморегенерация) определяется архитектурой микросхем памяти, а вручную могут устанавливаться только режимы регенерации.
Однако, выставив наибольший временной цикл, можно не вписаться в общую временную диаграмму, поэтому производитель модуля памяти такого рода информацию просто заносит в специально отведенное место - микросхему SPD, которой оснащено большинство современных модулей DIMM. В случае, если таковой микросхемы на используемом модуле нет, то можно (при условии, что это позволяет гибкая настройка BIOS-Setup) самостоятельно выставить либо 4х-, либо 8х-расширенную регенерацию - как показывает практика, большинство подобных модулей памяти довольно стабильно работает на 8х-расширенпой.
DRAM R/W Leadoff Timing
Число тактов, затрачиваемое системой при подготовке к выполнению операции чтения-записи данных, характеризуется этим параметром. Он определяет их количество на шине до выполнения операций памятью. При этом данный параметр может принимать значения 8/7 и 7/5 - количество тактов для чтения/записи соответственно. Как и любой параметр, характеризующий временные или количественные характеристики, этот пункт необходимо стараться установить с меньшим значением
Speculative Leadoff
Параметр, включающий (Enable) и выключающий (Disable) режим опережающей выдачи сигнала чтения, разрешение которого позволяет выдавать его немного ранее, чем адрес будет декодирован (совместное однозначное определение положения ячейки при помощи стробов RAS# и CAS#). Поскольку на то, чтобы определить адрес необходимой ячейки, требуется определенное время, система теряет драгоценные такты, которые могут использоваться более эффективно.
Поэтому включение этого параметра дает возможность считать следующей адрес ячейки, пока идет процесс определения местоположения ячейки, адрес которой считался ранее. Данный прием также позволит в немалой степени сэкономить время и уменьшить количество холостых тактов системной шины.
DRAM ECC/Parity Select
Данный пункт позволяет включать/выключать режимы коррекции ошибок (ECC) и проверки четности (Parity). В большинстве современных материнских плат этот пункт носит название DRAM, Data Integrity Mode. Если режим проверки четности является Ћусловно бесплатнымЛ, то ECC (Error Correction Code) имеет аппаратную ЋпривязкуЛ.
Иными словами, включить режим коррекции ошибки можно, если это поддерживается со стороны базовой логики (например, из более или менее распространенных, ЕСС поддерживается на уровне i82430НХ, i82440FX, i82450GX, i82450KX, i82440LX, i82440BX, i82440GX и i82450XX) и со стороны модуля памяти (на ЕСС SIMM/DIMM количество микросхем обычно 9 или 18, однако встречаются варианты с числом микросхем 5, 10, 14 и 36). Так, в случае использования схемы Parity, один бит четности сохраняется в специально выделенной области памяти вместе с каждыми восьмью битами информации, Бит четности формируется так: подсчитывается количество ЋединицЛ в двоичном представлении байта, если оно четное, то бит принимает значение 1, если нет - 0. После этого данные записываются в оперативную память. При считывании этого байта данных из ячейки к нему приписывается бит четности и затем анализируется 9-разрядное значение.
Если в этом числе нечетное количество единиц, то бит четности обрезается и байт информации передается на обработку - в противном случае генерируется ошибка четности и работа компьютера приостанавливается с выдачей диагностического сообщения. Если изменено четное количество бит информации, проверка бита четности не сработает.
Однако, несмотря на то, что схема контроля четности может выявлять максимум двухбитовые ошибки, исправлять их данный вид памяти не способен. В случае использования схемы ЕСС можно не только выявлять, но и исправлять одно-, двух-. трех- и четырехбитовые ошибки, а также генерировать ошибку четности. По схемотехническим и функциональным показателям схема работы этого вида памяти, в основном основанная на коде Хемминга, намного сложнее контролирования четности и используется в серверах, где необходима передача большого количества информации с минимальной вероятностью ошибки.
В любом случае, будь то схема Parity или ЕСС, использование данных типов памяти может снизить производительность: если контроль четности может затормозить систему на 3- 5%, то у ЕСС этот показатель иногда доходит до 20 % в зависимости от сложности используемого алгоритма. Кроме этого, 72-разрядный модуль ЕСС значительно дороже своего обычного 64-битового ЋбратаЛ при одинаковой емкости.
SDRAM Configuration
Параметр, определяющий способ конфигурирования модуля памяти типа SDRAM. В случае использования схемы SPD требуемые значения автоматически загружаются из микросхемы EEPROM, в которой производитель конкретного модуля памяти заранее прошивает тайминги, гарантируя стабильную работу, хотя в некоторых случаях возможны еще прямые варианты установки.
Суть данных установок сводится к тому, что в случае использования схемы Manual разрешается доступ к изменению параметров SDRAM RAS Precharge Time и SDRAM RAS-to-CAS Delay которые позволяют осуществлять более гибкую настройку подсистемы памяти на основе SDRAM.
В некоторых случаях возможны еще ЋпрямыеЛ варианты установки: 7 ns, 8 ns и 10 ns (максимальная частота работы модулей - 143МГц, 125МГц и 100 МГц соответственно).
Встречается также пункт меню типа Bank х/х DRAM Timing, который включает в себя режимы Normal, Medium, Fast и Turbo - это оптимизированные под одноименную производительность настройки, которые производитель материнской платы прописывает в BIOS сам.
SDRAM RAS Precharge Time
Длительность перезаряда линии RAS#. Данный параметр позволяет определять быстрое (Fast) или медленное (Slow) накопление заряда по линии RAS# до начала цикла регенерации памяти. В таком случае модули DRAM с двойным банком позволяют скрыть это время, чтобы обеспечить непрерывный ввод-вывод данных в то время, когда происходит какая-либо операция с одним банком памяти, другой успевает регенерировать (обновить) данные. Значение Fast следует устанавливать в случае уверенности в качестве микросхем памяти.
SDRAM RAS-to-CAS Delay
Аналогичный параметр описывался ранее, и в данном случае может принимать значения 2 и 3, устанавливая соответственно двух- и трехтактную задержку между сигналами RAS# и CAS# специально для модулей памяти SDRAM. Тем не менее, менять этот параметр необходимо довольно осторожно.
SDRAM CAS Latency Time
Задержка выдачи сигнала CAS# для модуля SDRAM является одной из важнейших характеристик памяти и обозначает минимальное количество циклов синхроимпульса (Clock Period) от момента запроса данных стробом CAS# до их появления и устойчивого считывания с выводов модуля памяти. Данный параметр может принимать значения 2 и 3. Для модулей памяти, прошедших тяжелые тесты в максимально жестких условиях и имеющих довольно большой запас по временным характеристикам, данное значение можно установить в положение 2, однако по умолчанию устанавливается 3.
SDRAM Banks Close Policy
Из-за того, что память с двухбанковой организацией работала не совсем корректно в системах, основанных на чипсете i82440LX, специально был введен этот параметр для контроля над операциями закрытия банков памяти SDRAM, если параметры доступа к банкам памяти были установлены по умолчанию. Параметр может принимать значения: Page Miss (режим промаха в страницу, используемый для двухбанковой памяти, когда в течение выполнения операции чтения-записи данных с произвольной страницы запрашиваются данные с абсолютно другой страницы) и Arbitration (режим специфического управления для четырехбанковой организации модуля памяти). Изменять данную установку по умолчанию следует только в случае нестабильной работы памяти.
МА Wait State
Параметр задает период ожидания до переключения адреса, который позволяет установить или снять дополнительный такт ожидания контрольного сигнала МА# (Multiplex Address) до начала чтения данных из памяти. Для памяти типа EDO DRAM однотактная задержка введена по умолчанию, поэтому установка значения Slow добавляет еще один такт ожидания. Установка же параметра в режим Fast позволит снять дополнительный такт ожидания, а значит - увеличить производительность.
SDRAM Speculative Read
Данный параметр позволяет выдавать сигнал разрешения чтения (WE#) немного ранее, чем адрес будет декодирован (однозначно определен). Этот режим подобен Speculative Leadoff и снижает общие затраты времени на операцию чтения. Другими словами, инициализация (установка) сигнала разрешения чтения происходит практически одновременно с генерацией того адреса, где находятся необходимые данные. Сигнал чтения воспринимается контроллером памяти, и если рассматриваемый параметр включен (Enable) то контроллер выдаст сигнал разрешения чтения до завершения декодирования адреса считываемой ранее ячейки, повышая общую производительность системы.
Memory Hole at 15M-16M
Дырка в памяти в промежутке между 15-м и 16-м мегабайтом системного ОЗУ (в некоторых конфигурациях бывает 14-16). Его разрешение (Enable) или указание используемого пространства напрямую позволяет обращаться к устройствам ввода-вывода, использующим интерфейс ISA, как к памяти. За счет этого увеличивается скорость доступа к ним, однако системе запрещено использовать область памяти выше 16МБ, которая резервируется для нужд установленной карты расширения.
Разрешать этот параметр следует тогда, когда это указано в документации на установленную в компьютере плату. Выключение (Disable или None) позволяет исключить для всех обычных программ возможность использования указываемой области памяти и дает системе прямой доступ к полному объему установленного системного ОЗУ.
VGA Shared Memory Size
В отличие от предыдущего параметра, этот характеризует резервируемую память для нужд подсистемы видео, интегрированной в сам чипсет (например, из более или менее новых - это SiS620). Унифицированная архитектура памяти (UMA - Unified Memory Architecture) является аналогом еще одного похожего стандарта SMBA (Shared Memory Buffer Architecture). Базисная идея UMA - предоставить раздельный доступ к основной памяти в системе, исключив за счет этого необходимость в специально выделенных графических буферах, где чипсет уступает контроль над памятью, когда интегрированный графический контроллер требует к ней доступ.
Все это довольно негативно сказывается на общей производительности системы, поскольку унифицированный кадровый буфер ЋтормозитЛ общую производительность (иногда падение может доходить до 15-20 %). Теоретически. UMA допускает динамическую смену размера кадрового буфера в зависимости от требований текущего запушенного приложения, однако практически невозможно выйти за рамки отведенного BIOS-Setup объема.
Поэтому для определения необходимого объема памяти (МБ) с учетом требуемой разрешающей способности экрана (количество точек по горизонтали и вертикали), глубины цвета (бит) и максимально возможной дискретности (шаг) изменения значений памяти (0.5МБ), будет полезна приведенная ниже таблица.
Таблица значений для параметра VGA Shared Memory Size Цвета/ Разрешение 16 / 4бит 256 / 8бит 65536 / 16бит 16,7 млн / 24бит
640х480 0,25 0,5 1,0 1,0
800х600 0,25 0,5 1,0 1,5
1024х768 0,5 1,0 1,5 2,5
1280х1024 1,0 1,5 2,5 4,0
1600х1200 1,0 2,0 4,0 6,0
Однако стоит заметить, что изменение объема резервируемой под кадровый буфер памяти может иметь разную дискретность и собственное максимальное значение, определяемые конкретной версией BIOS. Поэтому цифры в таблице являются опорными и возможно, что требуемый объем не удастся установить точно, в результате чего потребуется определить более близкое (в ту или иную сторону) значение от необходимого.
AGP Aperture Memory Size
Данный пункт даст возможность отвести необходимое(4, 8, 16, 32, 64, 128 и 256) количество системной ОЗУ (в мегабайтах) для текстурной памяти установленного в ПК видеоадаптера с интерфейсом AGP. Спецификация ускоренного графического порта (Accelerated Graphic Port) в своей основе содержит общие команды управления РСI с разницей в использовании возможности выполнения прямых операций в памяти (DiME - Direct Memory Execute) и наличия порта адресации (SBA - Side Band Addressing).
Используя режим DiME, видеоадаптеры на основе шины AGP могут функционировать в двух режимах. В режиме DMA контроллер ведет себя как обычное видеоустройство PCI, используя только собственную локальную память для хранения текстур и выполнения операций - режим функционирования DiME отключен. В случае использования режима Execute контроллер ЋунифицируетЛ часть системной памяти (именно этот объем указывается в параметре .AGP Aperture Memory Size) для хранения текстур, используя специфическую схему переадресации (GART - Graphic Address Remaping Table), динамически переназначая 4КБ-страницы.
Специфический порт адресации дает возможность, используя оба фронта синхросигнала, увеличивать результирующую (ее еще называют эффективной) частоту шины AGP, не увеличивая при этом действительной - 66МГц в любом случае. Однако некоторые производители графических контроллеров считают не эффективным применение режима DiME (AGP-текстурирование), поэтому используют интерфейс AGP только для совместимости, оставляя включенным лишь режим DMA и отключая DiME. По сути дела, такой акселератор работает как обычный PCI-видеоадаптер лишь с ЋмеханическойЛ разницей - частота функционирования увеличена в два раза: 66 МГц у AGP против 33 МГц у PCI. В результате прирост производительности абсолютно непропорционален и в лучшем случае может составить 10- 15 % в зависимости от конкретного адаптера и используемого приложения.
При использовании данного пункта меню рекомендуется устанавливать используемый объем системной памяти в минимум (4 МБ), если используется адаптер только с режимом DMA, - это, например, видеокарты на основе видеоконтроллеров 3dfx Voodoo Banshee и 3dfx Voodoo3. При наличии в системе видеоадаптеров линейки видеопроцессоров nVidia, рекомендуется отводить под ЋрезервируемуюЛ память половину от общего объема. Но здесь необходимо учесть, что данная схема функционирования может в значительной степени снизить общую производительность системы, поэтому рекомендуемый минимальный стартовый объем системного ОЗУ - 64 МБ (лучше 128МБ и более), где можно половину отвести под AGP Aperture Memory Size, что ускорит обработку текстур и растровой графики в современных ЗD-играх.
Spread Spectrum Modulated
Спектральная модуляция тактового импульса (иначе еще называется SSC - Spread Spectrum Clock) позволяет равномерно распределить ничтожно малые значения общего фона электромагнитного излучения (ЭМИ), исходящего от любого функционирующего компонента системы, по всему частотному спектру синхроимпульса.
Иными словами, включение этого режима (Enable) позволит ЋскрытьЛ высокочастотные помехи на фоне полезного сигнала путем внесения в него еще одного дополнительного сигнала, функционирующего в частотном диапазоне нескольких десятков килогерц (такого рода процесс и называется модуляцией).
Этот прием имеет четко рассчитанные временные характеристики и напрямую зависит от устанавливаемых ранее значений таймингов топологии (разводка по печатной плате) сигнальных трасс как на материнской плате, так и на модуле памяти. Кроме этого имеет большое значение общая конфигурация системы (типы устанавливаемых компонентов) и режим работы (штатный или разогнанный).
Отключение этого режима (Disable) является, скорее, исключением из правила, поскольку он основан больше на статистике, однако к нему следует прислушаться. Поэтому, если система работает в нормальном режиме, то данный параметр все же рекомендуется включить.
Autodetect DIMM/PCI Clk
Этот параметр помогает автоматически определять и настраивать частоту функционирования модулей памяти типа DIMM и адаптеров интерфейса PCI. Его включение (Enable) позволяет уменьшить влияние электромагнитной интерференции на устанавливаемые в систему компоненты, что, в свою очередь, повышает общую стабильность работы всей системы в целом и составляющих ее элементов в отдельности.
Некоторые другие параметры
Поскольку память, используемая для BIOS, очень медленная, то есть возможность копирования отдельных ее фрагментов в специально отведенные участки системной памяти для очень быстрого доступа к необходимым данным. Этими процессами управляют параметры System BIOS Cacheable, Video BIOS Cacheable и Video RAM Cacheable. Разрешение (Enable) этих параметров повышает производительность системы.