Как работает флэш-память? срочно! я на информатике сижу!

Метки: admin

🕛 16.01.2010, 16:50

Метки: срочно Специалисты Компьютерного портала STFW.RU рекомендуют:

оттенков серого А я на кресле, и мне пофигу где ты сидишь: Ольчик : Загадочная Обычно. Так же как любой жёсткий диск. просто копируешь на неё или с неё что-нибудь. к компьютеру подсоединить не забудь Просто Вова Флешпамять англ. Flash-Memory - разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она может быть прочитана сколько угодно раз, но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз максимально - около миллиона циклов[1]. Распространена флеш-память, выдерживающая около тысяч циклов перезаписи - намного больше, чем способна выдержать дискета или CD-RW. Не содержит подвижных частей, так что, в отличие от жёстких дисков, более надёжна и компактна. Принцип действия Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками англ. cell. В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками англ. single-level cell, SLC, каждая из них может хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками англ. multi-level cell, MLC могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора. [править] NOR В основе этого типа флеш-памяти лежит ИЛИНЕ элемент англ. NOR, потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу. Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируют через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет «ширину» канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении. Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы. Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят туннелируют на исток. В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры. [править] NAND В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент англ. NAND. Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке. NAND и NOR архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных. ru.wikipedia.org/wiki/Флеш-память... Lexus ixbt. com/storage/flash-tech.shtml Здесь почитай. тут подробно все описано Перед com удали пробел Если есть доступ к mail.ru значит и другой сайт сможешь открыть