11 нм не предел для кремниевых чипов

Компания IBM провела две серии презентаций, в которых были затронуты проблемы технологий производства полупроводниковых устройств.

🕛 10.12.2009, 21:22

В лекциях под названием “Scaling Challenges: Device Architectures, New Materials, and Process Technologies” основное внимание представители IBM уделили микротехнологиям. В других под названием “Low Power/Low Energy Circuits: From Device to System Aspects” были рассмотрены вопросы снижения потребляемой мощности устройств.

В своём выступлении представитель IBM Research Division отметил, что к производству кремниевых чипов можно применить проектные нормы 15 нм, 11 нм, и даже ещё более прецизионные техпроцессы. Но для этого требуется существенно изменить существующие архитектуру полупроводниковых приборов, а также использовать так называемые полностью обеднённые транзисторы. Для “сверхтонких” техпроцессов можно применять FinFET-транзисторы, ETSOI (extremely thin SOI) и нанонити.

Как отмечается, при переходе на 15- и 11-нм техпроцессы повысить производительность микросхем с помощью микротехнологий уже не удастся на столько, сколько это позволяют чипы 32- и 22-нм поколений. В чипах “10-нм класса” снижения удельной потребляемой мощности в расчете на производительность IBM планирует добиться за счет масштабирования длины затвора, ширины канала транзистора и напряжения питания.

По прогнозам IBM, в ближайшее десятилетие мы станем свидетелями грандиозного увеличения количества элементов в полупроводниковых микросхемах - от 50 до 100 и более миллиардов.