Stfw.RuSamsung 40nm DDR3
🕛 14.09.2009, 14:29
Один из крупнейших производителей микросхем NAND Samsung Electronics запустила новую кампанию, цель которой - продвижение чипов DDR3 ёмкостью 2 Гбит, произведённых по 40-нм техпроцессу. Названная "Зелёная память", программа представляет энергосберегающие модули памяти, функционирующие при напряжении 1,35 В, что на 0,15 В ниже обусловленного стандартом JEDEC уровня для DDR3."40-нм класс DDR3 DRAM использует 1,35 В и потребляет на четверть меньше энергии, чем 60-нм класс продуктов, распространённых сегодня на рынке. Это простое решение для растущего рынка серверов, предоставляющее большую эффективность, - заявил исполнительный вице-президент направления продаж памяти Samsung Донгсу Жан (Dongsoo Jun). - 40-нм класс микросхем также предназначен для всех ниш IT-рынка и помимо прочих преимуществ снижает затраты конечных потребителей". Чипы производятся с июля и используются в модулях памяти SO-DIMM и UDIMM ёмкостью 4 Гб, а также в 8-Гб и 16-Гб registered DIMM. Расчёты компании показывают, что по сравнению с серверами, на которых установлено 48 Гб памяти с 4-Гб модулями DDR2 (60 нм, 1,8 В) аналогичные решения с новыми чипами DDR3 обеспечат до 73% экономии энергии на уровне подсистемы памяти и до 38% на уровне всей системы. Если заменить в 1200 серверах DDR2 на "зелёную" DDR3, можно избежать выброса в атмосферу 1300 тонн углекислого газа. Сделав то же со всеми серверами в мире, индустрия убережёт окружающую среду от 35 млн тонн CO2 ежегодно.