AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

Источник изображений: AMD Режим EXPO ULL станет частью обновления EXPO 1.2. Функция добавляет режим памяти с низкой задержкой, автоматическим разгоном памяти и более ..., Источник

Источник изображений: AMD
Режим EXPO ULL станет частью обновления EXPO 1.2. Функция добавляет режим памяти с низкой задержкой, автоматическим разгоном памяти и более точной настройкой для поддерживаемых комплектов ОЗУ DDR5. AMD утверждает, что EXPO ULL может улучшить как средний показатель кадров в секунду, так и его минимальное значение (1 % low) в играх.

Согласно внутренним тестам компании, EXPO ULL обеспечивает до 13 % более высокий средний FPS по сравнению с памятью стандарта JEDEC DDR5 и до 4 % более высокий средний FPS по сравнению с текущими профилями разгона EXPO. Что касается минимального значения FPS, то EXPO ULL обещает прирост до 15 % по сравнению со стандартными профилями JEDEC и до 4 % по сравнению с текущими профилями памяти EXPO. Компания заявляет, что эти данные основаны на тестировании более чем в 30 играх на системе с Ryzen 7 9700X.

EXPO ULL также нацелен на снижение задержки памяти на 5–7 нс по сравнению с обычным комплектом DDR5-6000 за счёт настройки дополнительных параметров tREFI, tRRDS, tWR, ULL Enable и VDDP.
AMD перечислила несколько партнёров по производству памяти с поддержкой EXPO ULL. В их число входят G.Skill, Kingston Fury, Klevv, Lexar, TeamGroup, V-Color, XPG от Adata и Origin Code. Новые комплекты памяти от этих производителей ожидаются в июне, хотя полная поддержка функции EXPO ULL будет зависеть от производителей материнских плат и соответствующих версий BIOS. В последних релизах библиотек AGESA 1.3.0.1 и 1.3.0.1b уже добавлены дополнительные параметры настройки DDR5 для плат AM5.

Также по теме: