Samsung разработала первые в отрасли чипы DDR4 на базе технологии 10-нм класса третьего поколения

Компания Samsung заявила, что она первой в отрасли смогла разработать чипы памяти Double Data Rate 4 (DDR4) ёмкостью 8 Гбит на базе производственной технологии 10-нанометрового класса третьего поколения. При этом отмечается, что прошло всего лишь 16 месяцев с момента начала массового производства таких же чипов, но на основании производственной технологии 10-нанометрового класса второго поколения. За это время разработка 8-гигабитного чипа DDR4 на базе технологии 10-нм класса без использования фотолитография в глубоком ультрафиолете (EUV) расширила границы масштабирования DRAM.Благодаря внедрению новой технологии эффективность производства удалось увеличить на 20% по сравнению с технологией предыдущего поколения. После проведения проверки новых модулей памяти объёмом 8 ГБ совместно с производителями процессоров, компания Samsung приступит к активному сотрудничеству с глобальными потребителями для предоставления широкого перечня доступных решений. Массовое производство чипов памяти DDR4 ёмкостью 8 Гбит на базе производственной технологии 10-нанометрового класса третьего поколения начнётся во второй половине этого года, а высокопроизводительные компьютеры и серверы с такими чипами появятся на рынке уже в 2020 году.Также отмечается, что в соответствии с текущими нуждами отрасли, Samsung намерена нарастить производство памяти на фабрике в Пхёнтэке.Источник: techpowerup

Также по теме: