К 2022 году Samsung планирует освоить производство чипов по 3-нм техпроцессу на базе собственной технологии GAA MBCFET
В рамках проведения мероприятия Foundry Forum компания Samsung поделилась своими ..., В рамках проведения мероприятия Foundry Forum компания Samsung поделилась своими планами относительноВ рамках проведения мероприятия Foundry Forum компания Samsung поделилась своими планами относительно дальнейшего освоения более тонких технологических процессов при изготовлении чипов.
Уже во второй половине нынешнего года планируется приступить к производству чипов, используя 7-нанометровый технологический процесс Low Power Plus (LPP). При этом будет применяться литография EUV (экстремальная ультрафиолетовая литография). А массовое производство на базе новой технологии запланировано на первую половину 2019 года.
Чипы на базе 5-нанометровой производственной технологии Low Power Early (LPE) обеспечат чрезвычайно низкое энергопотребление. Последние чипы, использующие транзисторы FinFET, будут изготавливаться по нормам 4-нанометрового техпроцесса на базе технологий Low Power Early/Plus. Эти устройства обеспечат прирост производительности, а также получат более компактные размеры. Их производство запланировано на 2019 и 2020 годы, соответственно.
Начиная с 3-нанометрового производственного технологического процесса компания Samsung намерена перейти на использование собственной архитектуры следующего поколения GAA (Gate all-around) MBCFET (multi-bridge-channel FET). Выпуск чипов по 3-нм техпроцессу состоится не ранее 2022 года.
Источник: phonearena
Также по теме: