Samsung изготовила рабочий прототип 512 Мбит мобильной DRAM

admin

🕛 20.01.2005, 23:07

Samsung заявила об изготовлении первого в мире рабочего прототипа 512 Мбит чипа мобильной памяти DRAM, ориентированной на применение в подсистемах, обеспечивающих высококачественную 3D-графику и обработку потокового видео в мобильных телефонах, наладонниках, портативных сканерах и других мобильных устройствах. Изготавливаться такие чипы будут по 90-нм техпроцессу.

Новые чипы требуют напряжение питания 1,8 В, они будут доступны в форматах DDR и SDRAM для совместимости с максимальным количеством систем. Samsung будет разрабатывать также версии чипа 512 Мбит для своих «сборок» класса multi-chip package (MCP) и system-in-package (SIP), объединяющих в одном корпусе несколько чипов. Предполагается, что два стекированных чипа 512 Мбит, обеспечивающих суммарную емкость 1 Гбит в одном корпусе, откроют новые возможности для мобильных систем памяти.

Samsung начнет массовое производство чипов в конфигурациях 32 Мбит х 16 и 16 Мбит х 32 в начале второй половины 2005 г. Предполагается, что чипы мобильной DRAM 512 Мбит окажутся востребованными на рынке мобильных телефонов третьего поколения, переживающем значительный подъем. Согласно прогнозам, годовой рост продаж 3G-телефонов будет на уровне 67% в год и достигнет 280 млн. в 2008 г. при общем объеме продаж мобильных телефонов 790 млн.