PRAM - "совершенная" память от Samsung

🕛 15.09.2006, 11:00

Samsung Electronics Co. Ltd объявила о завершении разработки первого полностью функционального прототипа PRAM-чипа памяти (Phase-change Random Access Memory, или память с произвольным доступом на основе фазовых превращений) емкостью 512 Мбит, который, как ожидается, придет на смену современным NOR-чипам флэш-памяти.

Новая технология позволяет перезаписывать данные без предварительного затирания уже существующих, что выливается в 30-ти кратное превосходство в скорости над традиционной флэш-памятью. Ожидается десятикратное увеличение срока службы PRAM-чипов. Новые чипы компактнее и, что немаловажно, на 10% дешевле.

Поставки чипов начнутся в 2008 году. Емкость первых устройств составит 512 Мбит. Samsung предрекает особый успех PRAM-технологии в различного рода компактных устройствах: смартфонах, PDA, и UMPC, где увеличение скорости доступа к данным вызовет мгновенное увеличение производительности системы в целом.

Сочетая в себе лучшие качества RAM и флэш: скорость и энергонезависимость, PRAM вполне достойна называться «Совершенной RAM» (Perfect RAM), считает Samsung.