IBM создаёт транзистор будущего: 300 ГГц при комнатной температуре
🕛 22.06.2006, 11:53
Одной из компаний, занимающихся инновационной и исследовательской деятельностью в области микроэлектроники и литографии, является фирма IBM. Она является технологическим "донором" для AMD, и пока история не знает примеров неудачного сотрудничества этих компаний. IBM разрабатывает технологии, которые в будущем используются при производстве микросхем другими компаниями. В этот понедельник IBM рассказала об очередном прорыве, как сообщает агентство Reuters. Инженерам компании удалось создать транзистор, работающий в 100 раз быстрее многих современных микропроцессоров. Если быть точнее, образец транзистора, созданный из кремния с добавлением германия, смог работать на частоте 500 ГГц. Собственно говоря, нынешние процессоры могут работать на частоте 5.0 ГГц преимущественно под воздействием жидкого азота, хотя имеются и приятные исключения. Самое забавное, что инженерам IBM для сохранения транзисторов стабильности на частоте 500 ГГц пришлось охладить его до температур, близких к абсолютному нулю - минус 273 градуса по Цельсию. Впрочем, при комнатной температуре образец транзистора мог работать на частоте 300 ГГц, что тоже впечатляет.
Безусловно, успехи IBM не означают, что процессоры ближайшего будущего смогут работать на частоте 300-500 ГГц. Транзистор является лишь элементарной частицей микропроцессора, частотный потенциал всего чипа ограничивают многие факторы. Кстати, не всегда производители стремятся именно выжать максимум частотного потенциала. На примере последних процессоров Intel и AMD мы можем убедиться, что иногда целесообразнее снизить уровень энергопотребления, оставив частоту прежней.
Микрочипы с использованием разработок IBM появятся в ближайшие два года, однако не все из них найдут место в настольных системах. IBM считает, что по новой технологии будут изготавливаться контроллеры для беспроводных сетей, позволяющих передать видеоролик DVD-качества за пять секунд.
Не будем забывать, что AMD тоже собирается использовать соединения кремния и германия (SiGe) в своих процессорах. Первые процессоры с использованием этой технологии могут быть выпущены ещё в рамках 0.09 мкм технологии, поэтому какой-то прогресс в частотных или тепловых характеристиках процессоров AMD мы увидим совсем скоро.