Intel уже готова к массовому производству памяти MRAM, сочетающей в себе лучшие возможности DRAM и NAND

По данным осведомлённых источников, компания Intel уже готова приступить к массовому производству памяти MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory).Память MRAM является энергонезависимой.

По данным осведомлённых источников, компания Intel уже готова приступить к массовому производству памяти MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory).Память MRAM является энергонезависимой. Она способна сохранять данные даже в случае неожиданного прекращения энергоснабжения системы. Таким образом, она больше похожа на устройство хранения данных, чем на оперативную память. Но на самом деле память MRAM можно рассматривать в качестве долгожданного кандидата на универсальную память, которая позволит заменить и быструю энергозависимую память DRAM, и более медленную энергонезависимую память NAND. Отметим, масштабирование узлов с этими типами памяти становится всё сложнее. В то же время MRAM обещает улучшенную масштабируемость, время отклика на уровне 1 нс (лучше теоретических возможностей DRAM) и высокую скорость записи, которая в тысячи раз превосходит возможности NAND. title="Intel уже готова к массовому производству памяти MRAM, сочетающей в себе лучшие возможности DRAM и NAND" -->

---

Также по теме:

• В 2019 году следует ожидать дальнейшего снижения цен на память NAND, но стоимость памяти DRAM не изменится
• В прошлом месяце контрактные цены на флэш-память TLC NAND снизились на рекордные 13-17%
• SK Hynix анонсировала первый в отрасли чип памяти DDR5 ёмкостью 16 Гбит, отвечающий спецификациям JEDEC
• Intel представила первую оперативную память на 3D XPoint, совместимую с DDR4