Qualcomm раскрыла все характеристики новой 7-нанометровой флагманской SoC Snapdragon 855

Компания Qualcomm, как и обещала, раскрыла подробные характеристики 7-нанометровой однокристальной системы Snapdragon 855, которая станет основой большинства флагманских смартфонов в следующем году. Напомним, предварительный анонс Snapdragon 855 состоялся вчера.Итак, процессорная часть Snapdragon 855 — восьмиядерный CPU Kryo 485 — действительно построена по новой трехкластерной схеме с одним высокопроизводительным ядром, работающим с частотой 2,84 ГГц. Средний процессорный кластер включает три ядра с частотой 2,42 ГГц, а младший — четыре ядра с частотой 1,8 ГГц. Составляющая SoC, отвечающая за обработку графики, — GPU Adreno 640.title="Qualcomm раскрыла все характеристики новой 7-нанометровой флагманской SoC Snapdragon 855" Qualcomm утверждает, что Snapdragon 855 превосходит предшественника Snapdragon 845 по производительности процессорной части на 45%, а по графическому быстродействию — на 20%. Также производитель заявляет для чипа лучший в сегменте показатель производительности на ватт затрачиваемой энергии, но конкретное значение не указывается.-->

---

Также по теме:

• Опубликованы первые результаты комплексного тестирования производительности SoC Snapdragon 855 в сравнении с Snapdragon 845 (Google Pixel 3) и Apple A ...
• Qualcomm готовит шестиядерную SoC Snapdragon 680, которая станет на ступеньку ниже Snapdragon 710
• Qualcomm представила 10-нм среднеуровневую SoC Snapdragon 710, которая во многом похожа с флагманской Snapdragon 845