SK Hynix выпустила первый в мире 96-слойный чип памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит

Компания SK Hynix заявила о выпуске первых в мире 96-слойных чипов памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит. Фактически эти чипы основаны на технологии 3D TLC, но производитель добавил

Компания SK Hynix заявила о выпуске первых в мире 96-слойных чипов памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит. Фактически эти чипы основаны на технологии 3D TLC, но производитель добавил в название четвёртое измерение за счёт использования дополнительных технологий CTF (Charge Trap Flash, ячейки с ловушкой заряда) и PUC (Peri. Under Cell, перенос переферийных цепей под массим ячеек памяти).Как заверяет SK Hynix, применяемый подход обеспечивает преимущества по сравнению с распространённым в отрасли методом производства 3D Floating Gate. Технология 4D NAND позволяет уменьшить размеры чипов на 30% и повысить плотность бит на пластину на 49% по сравнению с 72-слойными чипами памяти 3D NAND с такой же ёмкостью 512 Гбит. При этом новая технология обеспечивает прирост производительности в операциях записи на 30%, а в операциях чтения – на 25%. Кроме того, пропускная способность линий ввода-вывода увеличена до 1200 Мбит/с при напряжении питания 1,2 В. title="SK Hynix выпустила первый в мире 96-слойный чип памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит" -->

---

Также по теме:

• SK Hynix анонсировала первый в отрасли чип памяти DDR5 ёмкостью 16 Гбит, отвечающий спецификациям JEDEC
• Samsung начала массовое производство чипов памяти V-NAND пятого поколения для смартфонов и суперкомпьютеров
• Micron начнет поставки 96-слойной флэш-памяти 3D NAND во второй половине года
• Intel анонсировала SSD 660p Series M.2 NVMe на базе чипов QLC NAND с высокими скоростными показателями и ценой от $100