Samsung начал массовое производство второго поколения 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR4X с меньшим энергопотреблением и габаритами

Компания Samsung Electronics объявила сегодня о старте массового производства первых в полупроводниковой индустрии модулей оперативной памяти LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate, 4X) второго поколения, выполненных по нормам 10 нм класса. Новые модули позволят создавать более производительные и в то же время экономичные смартфоны, который выйдут на рынок уже в конце текущего — начале следующего года.По сравнению с первым поколением таких модулей, новинка обеспечивает на 10% меньшее энергопотребление при сохранении той же скорости передачи данных в 4,266 Мбит/с. Компания Samsung Electronics заявила, что продолжит обновлять свою текущую линейку DRAM-памяти, данный процесс начался в ноябре с выпуском серверной DRAM-памяти 8Gb DDR4 и продолжился выпуском мобильной памяти 16Gb LPDDR4X восемью месяцами позже.Производитель отметил, что уже опробовал микросхемы ОЗУ емкостью 8 ГБ, объединив четыре модуля 16Gb LPDDR4X DRAM. Такой четырехканальный вариант обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1 ГБ/с, при этом микросхема получилась на 20% тоньше, чем память первого поколения, что позволит производителям смартфонов создавать еще более тонкие устройства. Так как на данный момент 8 ГБ ОЗУ устанавливают только в флагманские модели, Samsung также подготовил модули LPDDR4X-памяти на 4 ГБ и 6 ГБ.Массовое производство LPDDR4X второго поколения стартует на новых фабриках компании в Пхёнтхэке (Южная Корея) после получения соответствующих заказов от производителей смартфонов. Напомним, что недавно Samsung анонсировал новую 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR5 со скоростью 6400 Мбит/с и на 30% меньшим энергопотреблением.Источник: Samsung

Также по теме: