Вероятнее всего, смартфон Samsung Galaxy S10 станет первым носителем ОЗУ LPDDR5 и флэш-памяти UFS 3.0

Судя по всему, флагманы следующего года, начиная с Galaxy S10, предложат неслабый прирост быстродействия и энергоэффективности.
Известный инсайдер под ником @UniverseIce сообщает, что Samsung планирует начать массовое производство микросхем памяти LPDDR5 и UFS 3.0 уже до конца этого года. Немудрено, что в таком случае первым носителем новой более быстрой и энергоэффективной памяти станет Samsung Galaxy S10. Тем более, что слухи об этом были еще задолго до выхода Galaxy S9.

Samsung will mass-produce LPDDR5 and UFS3.0 chips in the second half of the year, and I look forward to the Galaxy S10.
— Ice universe (@UniverseIce) June 14, 2018

По пропускной способности интерфейс UFS 3.0 вдвое превосходит своего предшественника UFS 2.0, обеспечивая скорость передачи данных до 23,2 Гбит/с (до 11,6 Гбит/с в расчете на линию). Кроме того, в UFS 3.0 снижено энергопотребление (напряжение питания составит 2,5 В) и расширен рабочий температурный диапазон. В случае LPDDR5 можно рассчитывать на повышение скорости и энергоэффективности на 10% и 15% соответственно.
О смартфоне Galaxy S10 нам пока известно немного, хотя кое-какая информация есть. Недавние слухи приписывали ему 6,2-дюймовый дисплей со встроенными громкоговорителями, занимающий 100% площади лицевой панели. Также проскакивала информация о тройной основной камере и сканере отпечатков пальцев под поверхностью дисплея. Как и предшественниками, Samsung Galaxy S10 будет использовать две однокристальных системы: Exynos 9820 или Snapdragon 855 в зависимости от региона продаж.
Источник: @UniverseIce

Также по теме: