Stfw.RuJEDEC еще предстоит закончить разработку и утвердить финальные спецификации нового стандарта оперативной памяти DDR5, которая тоже будет использовать нормы 7 нм. Это событие ожидается не ранее середины этого года, но это не помешало специалистам Cadence и Micron создать первый работающий модуль DDR5-4400. Понятно, что это ознакомительный образец, но, в принципе, общие тенденции понятны уже сейчас.
Для ясности, Cadence ответственна за контроллер, а Micron – за саму память. В данном случае использовался чип объемом 8 ГБ, произведенный по 7-нм технологическим нормам на мощностях TSMC.
Итак, они смогли достичь производительности в 4400 МТ/с (мегатранзакций в секунду), что на 37,5% выше показателя самой быстрой серийной памяти стандарта DDR4-3200. И это при том, что, как подчеркнул Марк Гринберг из Cadence, в DDR5 нацелен больше на увеличение объема, чем на производительность.
Стандарт DDR5, как ожидается, должен облегчить выпуск кристаллов памяти плотностью 16 Гбит благодаря совершенствованию технологии вертикальной компоновки.
Как отмечает TechPowerUp, в новой 1х нм памяти плотностью 16 Гбит расстояние между ячейками увеличится еще сильнее, что повлечет за собой неизбежное ухудшение таймингов. Собственно, у прототипа контроллера Cadence задержка выдачи сигнала CAS составляла 42 (это не ошибка). Хотя тут надо сказать, что тестовый модуль работал при напряжении питания 1,1 В, что впечатляет, учитывая, что стандартное напряжение для DDR4 составляет 1,2 В.
