Samsung и Hynix готовы поставлять 8 ГБ RAM для смартфонов

Смартфоны с 8 ГБ RAM все ближе. У Samsung соответствующая память уже есть, а сейчас и Hynix разработала нужное «железо».
У Hynix готова оперативная память LPDDR4 объемом 8 ГБ (4 микросхемы по 2 ГБ, сведенные в одну) с частотой 3733 МГц. Пропускная способность 29,8 ГБ/с. Изготавливается эта память по техпроцессу 21 нм и подходит для смартфонов. Уже отгружается версия с напряжением 1,8 / 1,1 В, а версия с напряжением 0,6 В и, соответственно, пониженным энергопотреблением начнет отгружаться в первом квартале 2017 года.

Для сравнения, 8 ГБ RAM от Samsung имеет частоту 4266 МГц и выполняется по нормам техпроцесса 10 нм. Так что продукт Hynix менее производителен и потребляет чуть больше энергии. С другой стороны, разница вряд ли реально ощутима при повседневном использовании, а вот отпускная цена может заметно отличаться, так что спрос на продукцию Hynix точно будет.
Напоминаем, что Samsung и Hynix (Hyundai Electronics) – лидеры в разработке и производстве чипов памяти. Их продукция используется в различных классах устройств от множества производителей, от китайских брендов до Apple, Dell и т.д.

Также по теме: