Именно изготовление Snapdragon 835 по 10-нм техпроцессу гарантирует значительные улучшение операционных качеств. По сравнению с нынешним флагманом Snapdragon 821, который изготовлен по 14-нм техпроцессу, новинка будет иметь 27% превосходство над предшественником в производительности, при этом потребление энергии процессором сократится на 40%, что позволит применять меньшие по объему батареи, если необходимо сделать корпус смартфона максимально компактным. Говорится о поддержке новейшей функции быстрой подзарядки устройства Quick Charge 4.0. Сообщается, что версия 4.0 позволит заряжать устройства на 20% быстрее с улучшенной на 30% эффективностью. Еще одной важной функцией станет мониторинг батареи во время зарядки, когда будет производиться контроль тока и напряжения, чтобы не допустить перегрева и выхода из строя аккумулятора. Все это обеспечивается системой INOV третьего поколения - Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (интеллектуальная настройка оптимального напряжения). Snapdragon 835 будет поддерживать подключение через интерфейсы USB Power Delivery и USB Type-C.
