Самсунг начнет выпуск 32-Гб модулей DDR3 на базе 40-нм технологии

Через мес. после начала производства микросхем DDR3-памяти объемом 4 Гбит, изготавливаемых с использованием 40-нм техпроцесса, компания Самсунг объявила о предстоящем выпуске I-х в мире модулей емкостью 32 Гб, созданных на базе таких чипов.

🕛 30.03.2010, 18:14

Напомним, что всего г. назад Самсунг анонсировала выпуск модулей памяти RDIMM (registered dual inline memory modules) стандарта DDR3 емкостью 16 Гб на базе чипов объемом 2 Гб, производимых при помощи 50-нм процесса.

Сегодня компания занимается рассылкой промышленных образцов, с тем, чтоб в следующем мес. начать массовое производство модулей DDR3 DRAM емкостью 32 Гб.

Новые модули предназначаются для эксплуатации в серверных системах. Они спроектированы на базе более экономичных микросхем плотностью 4 Гб. 1 модуль RDIMM емкостью 32 Гб состоит из 36 двухсторонних DDR3 чипов 40-нм класса объемом 4 Гб.

При замене в двухпроцессорной системе прежних 16 Гб модулей на новые DDR3 DRAM 32 Гб модули, объем памяти сервера удвоится и достигнет 384 Гб. При том рост потребления энергии будет составлять меньше 5%. Благодаря новым модулям объем памяти четырехпроцессорных серверных систем вырастет до 2 Тб.